TSMC опровергает слухи о выходе на рынок 3D DRAM, несмотря на запросы Nvidia

TSMC опровергает планы по производству 3D DRAM

Компания TSMC, крупнейший в мире контрактный производитель полупроводников, официально опровергла недавние сообщения о том, что она рассматривает возможность выхода на рынок чипов памяти 3D DRAM по запросу своего ключевого клиента, Nvidia. Ранее издание The Information сообщало, что TSMC начала проработку планов по производству 3D DRAM на фоне растущего дефицита памяти, вызванного бумом в сфере искусственного интеллекта.

Представитель TSMC заявил: «Обращаем ваше внимание, что TSMC всегда сосредоточена на нашем основном бизнесе, который заключается в специализированном контрактном производстве интегральных микросхем. Наша миссия - быть надежным поставщиком технологий и мощностей для мировой индустрии логических ИС на долгие годы».

Контекст слухов и дефицит памяти

Слухи о возможном вхождении TSMC в сегмент 3D DRAM появились на фоне глобального дефицита чипов памяти, особенно актуального для высокопроизводительных систем искусственного интеллекта. Резкий рост спроса на оборудование для ИИ привел к тому, что память из обычного товара превратилась в стратегический актив. Если бы TSMC действительно занялась производством 3D DRAM, это могло бы существенно расширить ее роль в цепочке поставок ИИ и составить конкуренцию таким гигантам, как Samsung, SK Hynix и Micron.

The Information, ссылаясь на два источника, знакомых с инициативой, утверждала, что TSMC уже приступила к подготовке планов по производству 3D DRAM под руководством Сюй Го-чиня, вице-президента TSMC по передовой упаковке и бывшего руководителя тайваньских операций Micron. Однако TSMC публично отвергла эти утверждения.

Технологические и рыночные барьеры

Производство DRAM, особенно 3D DRAM, требует совершенно иных производственных процессов и экспертизы, чем те, которыми обладает TSMC как производитель логических чипов. 3D DRAM предполагает вертикальное размещение нескольких слоев ячеек памяти для увеличения плотности, что является сложной задачей даже для ведущих производителей памяти. Разработка конкурентоспособной технологии 3D DRAM без базовой планарной DRAM-технологии крайне затруднительна, а TSMC не обладает ни тем, ни другим.

Вход на рынок DRAM также сопряжен со значительными рыночными рисками, поскольку этот сегмент известен своей цикличной природой с частыми периодами перепроизводства и падения цен. Кроме того, такой шаг мог бы усложнить отношения TSMC с существующими производителями DRAM, включая SK Hynix, с которой TSMC сотрудничает в области производства логических базовых кристаллов для памяти HBM нового поколения.

Альтернативные стратегии для TSMC

TSMC может расширять свое присутствие на рынке передовой памяти, не прибегая к прямому производству DRAM. Это включает производство сложных логических базовых кристаллов для HBM, интеграцию памяти с процессорами с использованием технологии гибридной связи SoIC, а также разработку индивидуальных решений памяти с партнерами, такими как GUC и уже зарекомендовавшие себя производители DRAM. Такой подход позволяет TSMC увеличить свою долю в сегменте передовой памяти без многомиллиардных инвестиций в разработку собственных технологий DRAM и строительство новых заводов.